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半导体器件中的辐射效应

丛 书 名：集成电路基础与实践技术丛书
著 者：（加）Krzysztof Iniewski（克日什托夫·印纽斯基）
作 译 者：刘超铭 等
出版时间：2021-12
字 数：524
页 数：328
版 次：01-01
开 本：16开 开
印 次：01-01
ISBN：9787121425523
所属分类：科技,电子技术,电子基础,
定价：128.0

内容简介:
这本书的内容主要介绍了各类先进电子器件在辐射环境（航天，核物理等）下的行为及效应。辐射与物质的相互作用是一个非常广泛和复杂的课题。在这本书中，作者从各个不同的角度试图分析这个问题，目的是解释理解半导体器件、电路和系统在受到辐射时所观察到的退化效应的最重要方面。内容包括目前国际上对于半导体器件辐射效应关注的各个方向，从传统的Si材料到新型的纳米晶体，从传统的CMOS工艺到新型的薄膜SOI工艺，从器件工艺到结构设计，各类内容均有涉及。本书中各类新兴的探测器技术、电路设计技术、新材料和创新的系统方法都是由业界和学术界的顶尖国际专家探索研究的，具有重要的学术价值，可以作为研究生课程的推荐阅读和补充材料。

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